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          詳細信息
          什么是IGBT技術
          發表時間:2013-8-22     閱讀次數:1693   [關閉窗口]

              IGBT即絕緣柵型雙極性晶體管。它具有優越的低飽和壓降,較高的電壓和較大的電流輸出等特點,在功率電子相關產業得到更為廣泛的應用和關注。為了使IGBT在大功率系統發揮更穩定和安全的性能,需要為其設計專門的驅動器。
          保管時的注意事項
             一般保存IGBT模塊的場所,應保持常溫常濕狀態,不應偏離太大。須注意不要在IGBT模塊上堆放重物; 裝IGBT模塊的容器,應選用不帶靜電的容器。
          工作原理
             IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降,轉換成一個低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結構,同一個標準雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅動器的原理圖。
          IGBT模塊由于具有多種優良的特性,使它得到了快速的發展和普及,已應用到電力電子的各方各面。因此熟悉IGBT模塊性能,了解選擇及使用時的注意事項對實際中的應用是十分必要的。

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